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やまざきさん
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1チップ当たりのエレメント数 1
カテゴリー パワーMOSFET
チャンネルタイプ N, チャンネルモード 強化
パッケージタイプ TO-263, ピン数 3
実装タイプ 表面実装
寸法 10 x 9.15 x 4.45mm
最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.002 Ω
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
最大パワー消費 1800 mW,
最大連続ドレイン電流 110 A
最大最小動作温度 -55 °C~ +175 °C
構成 シングル、 標準ゲートチャージ @ Vgs 260 nC V @ 10
標準ターンオフ遅延時間 130 ns
標準ターンオン遅延時間 54 ns
標準入力キャパシタンス @ Vds 17100 pF V @ 25
更に詳しい仕様はWEBでお調べください。
追加可能です。
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