ＦＥＴ： 2SK2967, TSM6981DCARV 番号選んで1個
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メーカー Toshiba
1チップ当たりのエレメント数 1
カテゴリー パワーMOSFET
チャンネルタイプ N
チャンネルモード 強化
パッケージタイプ TO-3PN
ピン数 3
実装タイプ スルーホール
寸法 15.9 x 4.8 x 19mm
最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.068 Ω
最大ドレイン-ソース間電圧 250 V
最大パワー消費 150 W
最小最大動作温度 -55 °C～+150 °C
最大連続ドレイン電流 30 A
構成 シングル
標準ゲートチャージ @ Vgs132 nC V @ 10
標準入力キャパシタンス @ Vds5400 pF V @ 10
２． ＴＳＭ６９８１ＤＣＡＲＶ・・・・・・・１００個で１組
メーカ: Taiwan Semiconductor
２０Ｖ Ｄｕａｌ Ｐ－ｃｈａｎｎｅｌ， ＭＯＳＦＥＴ
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