SANSUI AU-X1 プリメインアンプ回路図（Ａ３拡大コピー）全１２ページ。写真3以降は参考としてアップしてます。付録回路図付き

★写真3以降は参考の写真です。お間違え無く。 ☆ おまけ回路図付き。

（2023年 3月 28日 19時 45分 追加）
SANSUI AU-X1
￥210,000(1979年11月発売)
 解説 

「アンプとは音楽信号を忠実に伝える増幅度をもった一本の導線でなければならない」という理想をでき得る限り追い求め設計されたアンプ。

スペースのおよそ半分は電源部になっています。全段左右独立、パワーステージ、プリドライブステージ、フラットアンプ/イコライザー、MCヘッドアンプまで独立8電源構成という形を採用しています。
600VAの大容量トロイダルトランスと80VI・EIトランスの2トランス方式で、オーディオ専用に開発したカスタム大容量電解コンデンサー10,000μFx8をパラレル接続し、アース回路に1.2mm厚銅版を組合わせて使用、このため、スピーカーインピーダンスが周波数により変動しても、強力電源部により安定した動作を行います。

ダイヤモンド差動回路を搭載。さらに、新開発のリニア高速出力素子NM-LAPT(Non Magnetic-Linear Amp. Power Transistor)を採用してます。これにより、音質を阻害する動的歪であるTIM歪やエンベロープ歪を限りなく0に近づけることに成功しました。

大型ダイキャスト製ヒートシンカーから、高能率三重編組構造スピーカーコードによる配線などまで、パーツ一個一個の確実な特性チェックとヒアリングで選定しています。

前面パネルのパワーアンプオペレーションスイッチでプリとパワーの切り離しが可能。

パワーステージへの電源供給は左右チャンネルを独立させた2巻線、2整流回路によるレギュレーションの良い大型トロイダルトランス(電源容量600VA)を使用、加えて、オーディオ専用に開発したカスタム大容量電解コンデンサー10,000μFx8をパラレル接続し、アース回路に1.2mm厚銅板を組合わせて使用しています。
また、プリドライブ段へは大型EIトランス(電源容量80VA)による左右チャンネル独立2電源方式を使用し、ダイアモンド差動回路を強力にドライブします。


さらにイコライザーアンプ部、フラットアンプ部へは左右独立した定電圧回路より供給、MCヘッドアンプ部へは別巻線による左右独立した低電圧回路により供給します。

パワートランジスタに高速かつリニアリティに優れ、破壊強度及び遮断周波数(ft100MHz)の高い新開発NM-LAPTをトリプルプッシュプル接続にし、リニアリティの優れた動作点で使用しています。

ヘッドアンプ部は、新開発ローノイズhigh gm P-ch、N-ch FETを使用したシンメトリカル・プッシュプル入出力をさらに前進させたDCアンプ構成です。初段はダイレクトカップル方式でローノイズ、high gm P-ch、N-ch FETを多数個パラ接続したプッシュプル入力で理想的な入力インピーダンスと高S/N比を実現。
また、2段目はNPN-PNPトランジスターの組み合わせによるプッシュプル・ドライブ2段直結回路によるオープンループ特性に優れ、リニアリティの良いMCアンプ回路となっています。
さらに、左右独立、MC専用電源供給により、極めて高い安定動作を得ています。

イコライザーアンプ部は、ダイレクトカップル方式によるダイアモンド差動回路搭載のDCアンプ構成。初段はペア特性がよく、ローノイズ・high・gm、デュアルFET使用の差動入力回路を採用し、入力インピーダンスによる影響を受けないカスコード・ブートストラップ回路を構成。
また、NPN-PNPトランジスター組み合わせによる2段直結回路で構成した高性能定電流回路(PAT.PEND)により、サミングポイントにおけるCMRR(同相分抑圧費)を高くとり、優れた動特性を得ています。2～3段目はドライブ能力に優れたダイアモンド差動回路+電流差動プッシュプル、出力段はダーリントン接続によるSEPP回路で十分な電流余裕があり、低出力インピーダンスと低インピーダンスNF回路設計で負荷インピーダンスの変化に対しても十分なダイナミックレンジがとれ、さらにS/N比向上が計られています。

フラットアンプには、初段に新開発1Tip(4エレメント封入)FETによる差動入力回路によるプッシュプルドライブDCアンプ構成を採用、左右独立電源供給により、優れた動作を実現しました。

LAPTからのスピーカー配線コードは超低直流抵抗、低インダクタンスの高能率3重編組構造を採用、スルーレイトを悪化することなく優れた伝送特性を得ています。

CP型(コンダクティブ・プラスティック)マスターボリュームを採用。