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未使用 TO-3 MOS-FET NJS 2N6658 4個 長期保存品（n-channel enhancement-mode VMOS Power FET）①
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未使用
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商品説明
商品説明を最後まで読み、納得の上ご入札ください。
パーツボックスを整理していたところ、未使用の半導体が出てきました。この先、使用予定がないためオークションに出品致します。出品の商品は、NJS 2N6658 となります。
参考）2N6658について
Siliconix社のVMOS Power FETs デザインガイドには、対照型 広帯域40Wx2パワーアンプへの回路図が紹介されいています。以下、諸特性です。
n-channel enhancement-mode VMOS Power FET
・Maximum Drain-Source Voltage 90V
・Maximum Drain-Gate Voltage 90V
・Maximum Continuous Current 2.0A
※アプリケーションノートは、「VMOS Power FETs Desingn Catalog」で検索すると見つかると思います。以上、ご参考まで。
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